Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS34ML02G084-BLI

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

VFBGA-63

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

63-VFBGA (9x11)

终端数量

63

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Active Read Current - Max

30 mA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

220

Supplier Package

VFBGA

Typical Operating Supply Voltage

3.3000 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Timing Type

Asynchronous

Block Organization

Symmetrical

Number of Words

256 MWords

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Cell Type

SLC NAND

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

VFBGA-63

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

256000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS34ML02G084-BLI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.76

Usage Level

Industrial grade

系列

IS34ML02G084

操作温度

-40 to 85 °C

JESD-609代码

e1

类型

SLC NAND类型

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

技术

FLASH - NAND (SLC)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

63

JESD-30代码

R-PBGA-B63

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

内存大小

2 Gbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

30 mA

访问时间

20 ns

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

建筑学

Sectored

数据总线宽度

8 bit

组织结构

256 M x 8

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

29 Bit

密度

2 Gbit

记忆密度

2147483648 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

2.7, 3.6 V

引导模块

无

组织的记忆

256M x 8

宽度

9 mm

长度

11 mm