Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR86400E-3DBL-TR

Name: IS43DR86400E-3DBL-TR
Brand: Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
SKU: 1266-IS43DR86400E-3DBL-TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IS43DR86400E-3DBL-TR

品牌

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)

utmel 编号

1266-IS43DR86400E-3DBL-TR

商品类别

存储器

封装

BGA-60

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

IS43DR86400E-3DBL-TR Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IS43DR86400E-3DBL-TR详情

技术参数

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR86400E-3DBL-TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

BGA-60
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

60-TWBGA (8x10.5)
RoHS

Details
Mounting Styles

SMD/SMT
Maximum Clock Frequency

333 MHz
Supply Voltage-Min

1.7 V
Minimum Operating Temperature

0 C
Maximum Operating Temperature

+ 85 C
Moisture Sensitive

有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000
Package

Tape & Reel (TR)
厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
Supply Voltage-Max

1.9 V
系列

IS43DR86400E
包装

Reel
操作温度

0°C ~ 85°C (TC)
类型

SDRAM - DDR2
技术

SDRAM - DDR2
电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V
内存大小

512 Mbit
时钟频率

333 MHz
电源电流-最大值

85 mA
访问时间

450 ps
内存格式

DRAM
内存接口

SSTL_18
数据总线宽度

8 bit
组织结构

64 M x 8
写入周期时间 - 字符、页面

15ns
组织的记忆

64M x 8

0个相似型号

IS43DR86400E-3DBL-TR拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

IS43DR86400E-3DBL-TR零件