Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43LD32800B-25BLI

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

FBGA-134

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

134-TFBGA (10x11.5)

终端数量

134

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Clock Frequency

400 MHz

Supply Voltage-Min

1.14 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

171

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

1.95 V

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

8000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

85 °C

Manufacturer Part Number

IS43LD32800B-25BLI

Number of Words

8388608 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.2 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

2.04

系列

IS43LD16160B

操作温度

-40°C ~ 85°C (TC)

ECCN 代码

EAR99

类型

SDRAM Mobile - LPDDR2

附加功能

自我更新

技术

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

电压 - 供电

1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B134

电源电压-最大值(Vsup)

1.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.14 V

内存大小

256 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400 MHz

电源电流-最大值

40 mA

访问时间

5.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

HSUL_12

数据总线宽度

32 bit

组织结构

8 M x 32

座位高度-最大

1.1 mm

内存宽度

32

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

记忆密度

268435456 bit

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

组织的记忆

8M x 32

宽度

10 mm

长度

11.5 mm