Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS49NLC36160A-18WBL

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

WBGA-144

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

144-TWBGA (11x18.5)

终端数量

144

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Clock Frequency

533 MHz

Supply Voltage-Min

1.7 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Maximum Operating Temperature

+ 95 C

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

104

Tradename

RLDRAM2

Unit Weight

0.594778 oz

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

1.9 V

Package Description

TBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS49NLC36160A-18WBL

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.35

系列

IS49NLC36160A

操作温度

0°C ~ 95°C (TC)

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

类型

RLDRAM2

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

自动刷新

技术

RLDRAM 2

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B144

内存大小

576 Mbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

533 MHz

电源电流-最大值

618 mA

访问时间

15 ns

内存格式

DRAM

内存接口

HSTL

数据总线宽度

36 bit

组织结构

16 M x 36

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

603979776 bit

内存IC类型

DDR DRAM

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

访问模式

多库页面突发

组织的记忆

16M x 36

宽度

11 mm

长度

18.5 mm