Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS61C66-20N

表面安装

NO

终端数量

22

Manufacturer Part Number

IS61C66-20N

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Package Description

0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

Risk Rank

8.77

Access Time-Max

20 ns

Number of Words

16384 words

Number of Words Code

16000

Operating Temperature-Max

70 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP22,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T22

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.17 mA

组织结构

16KX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

长度

27.813 mm

宽度

7.62 mm