Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS61WV20488FBLL-8BLI

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Details

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.4 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Package

Bulk

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Access Time-Max

8 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS61WV20488FBLL-8BLI

Number of Words

2097152 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.74

系列

IS61WV20488FBLL

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

JESD-609代码

e1

类型

Asynchronous

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.4 V

内存大小

16 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

90 mA

访问时间

8 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

8ns

记忆密度

16777216 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

2M x 8

宽度

6 mm

长度

8 mm