Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TSOP-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TSOP I

终端数量

48

RoHS

Details

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.4 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

SRAM

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

96

Unit Weight

0.722940 oz

Package

Tray

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TSOP1,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

2.31

包装

Tray

系列

IS64WV51216EEBLL

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G48

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.4 V

内存大小

8 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

135 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512 k x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

512K x 16

宽度

12 mm

长度

18.4 mm