Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS64WV6416EEBLL-10BLA3

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

mBGA-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-TFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Details

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.4 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

SRAM

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Package

Tray

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS64WV6416EEBLL-10BLA3

Number of Words

65536 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.75

Usage Level

Automotive grade

包装

Tray

系列

IS64WV6416EEBLL

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

类型

Asynchronous

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.4V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3 V

温度等级

AUTOMOTIVE

内存大小

1 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

35 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

1048576 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.4 V

组织的记忆

64K x 16

宽度

6 mm

长度

8 mm