Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS66WV25616BLL-55BLI
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IS66WV25616BLL-55BLI
1266-IS66WV25616BLL-55BLI
集成电路(IC)
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IS66WV25616BLL-55BLI详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS66WV25616BLL-55BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
48
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Risk Rank
5.81
Access Time-Max
55 ns
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
262144 words
Number of Words Code
256000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Manufacturer Part Number
IS66WV25616BLL-55BLI
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Reflow Temperature-Max (s)
10
RoHS
Compliant
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
界面
Parallel
最小电源电压
2.5 V
内存大小
512 kB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.028 mA
访问时间
55 ns
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00013 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
PSEUDO STATIC RAM
长度
8 mm
宽度
6 mm
IS66WV25616BLL-55BLI拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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