Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS67WVE4M16EBLL-70BLA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TFBGA-48

表面安装

YES

终端数量

48

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.7 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

480

Unit Weight

0.082453 oz

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

4000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS67WVE4M16EBLL-70BLA1

Number of Words

4194304 words

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

2.33

Usage Level

Automotive grade

包装

Tray

系列

IS67WVE4M16EBLL

JESD-609代码

e1

类型

PSRAM

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

内存大小

64 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

30 mA

访问时间

70 ns

组织结构

4 M x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00015 A

记忆密度

64

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

PSEUDO STATIC RAM

待机电压-最小值

2.7 V

输出启用

NO

反向引脚排列

NO

宽度

6 mm

长度

8 mm