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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥39.347677
10
¥37.120448
100
¥35.019295
500
¥33.037066
1000
¥31.167042
GE28F008B3BA90详情
Intel GE28F008B3BA90重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (7.7x9)
终端数量
46
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
厂商
Intel
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Package Description
VFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
90 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GE28F008B3BA90
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.87
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
ETOX™ VI
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
底部启动区块
技术
FLASH - Boot Block
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
46
JESD-30代码
R-PBGA-B46
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
内存大小
8Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
90 ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
2.7 V
组织的记忆
1M x 8
宽度
6.5 mm
长度
7.91 mm
GE28F008B3BA90拓展信息







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