GT28F008B3T120详情
Intel GT28F008B3T120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
48-uBGA (7.7x9)
终端数量
48
Package
Bulk
厂商
Intel
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Package Description
CSP, MICRO, BGA-48
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GT28F008B3T120
Number of Words
1048576 words
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.45
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
28F008B3
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
NOR型号
端子表面处理
锡铅
附加功能
TOP BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
技术
FLASH - Boot Block
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
内存大小
8Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
120 ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
165ns
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
引导模块
TOP
组织的记忆
1M x 8
GT28F008B3T120拓展信息








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