Intel LD2114AL4

安装类型

通孔

包装/外壳

18-CDIP

表面安装

NO

供应商器件包装

18-CDIP

终端数量

18

Package

Bulk

厂商

Intel

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

200 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

LD2114AL-4

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Intel Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEL CORP

Risk Rank

5.7

Part Package Code

DIP

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

18

JESD-30代码

R-GDIP-T18

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

4Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

200 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1KX4

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

4

写入周期时间 - 字符、页面

200ns

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

输出启用

NO

组织的记忆

1K x 4

宽度

7.62 mm

长度

22.86 mm