Intel MD2147H3

安装类型

通孔

包装/外壳

18-CDIP

表面安装

NO

供应商器件包装

18-CDIP

终端数量

18

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

厂商

Intel

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

4000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MD2147H-3

Number of Words

4096 words

Risk Rank

5.87

Ihs Manufacturer

INTEL CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

Intel Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

DIP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C ~ 125°C (TC)

系列

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

内存大小

4Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

4KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4096 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

组织的记忆

4K x 1