CPV362MU
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International Rectifier CPV362MU

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型号

CPV362MU

utmel 编号

1240-CPV362MU

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

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CPV362MU International Rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.2A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

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CPV362MU详情

International Rectifier CPV362MU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    13

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13

  • Number of Elements

    6

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    超快

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T13

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    23 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    7.2 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.6 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.5 V

  • 环境耗散-最大值

    23 W

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技术文档: International Rectifier CPV362MU.

CPV362MU拓展信息

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