International Rectifier IRF530NLPBF

表面安装

NO

底架

通孔

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRF530NLPBF

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Package Code

TO-262AA

Package Description

LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Risk Rank

5.56

Drain Current-Max (ID)

17 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

30

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

35 ns

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

3.8 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

17 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.2 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

22 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

17 A

JEDEC-95代码

TO-262AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

输入电容

920 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

93 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

79 W

漏源电阻

90 mΩ

最大rds

90 mΩ

栅源电压

4 V

宽度

4.826 mm

高度

9.652 mm

长度

10.668 mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

无铅

无铅