International Rectifier IRF540N
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IRF540N
1240-IRF540N
无类别的
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
--最小包装量--
IRF540N详情
International Rectifier IRF540N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-220AB, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF540N
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Samacsys Description
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
3.6
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
33 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
27 A
漏极-源极导通最大电阻
0.044 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
185 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
94 W
环境耗散-最大值
94 W
IRF540N拓展信息







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