International Rectifier IRF7105

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Insulation Voltage

n/a

RoHS

有

Dimensions

1,6x0,8mm

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF7105

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

7.77

Part Package Code

SOIC

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

系列

n/a

容差

±1 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

电阻

n/a

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

厚膜

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

注意

n/a

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

大小

0603

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

环境耗散-最大值

2 W

额定功率

0,1 W

高度

0,55 mm