IRF7807VD1TRPBF
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International Rectifier IRF7807VD1TRPBF

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型号

IRF7807VD1TRPBF

utmel 编号

1240-IRF7807VD1TRPBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7807VD1TRPBF International Rectifier Small Signal Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8

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IRF7807VD1TRPBF详情

International Rectifier IRF7807VD1TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1206

  • Case - mm

    3216

  • Capacitors series

    KGM

  • Gross weight

    514.50

  • Transport packaging size/quantity

    43*28.5*19.5/28

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Part Package Code

    SOIC

  • Package Description

    SO-8

  • Drain Current-Max (ID)

    8.3 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 电容量

    22nF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    X7R

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MS-012AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.025 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2.5 W

  • 饱和电流

    1

  • Operating voltage

    50V

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