International Rectifier IRF7809AVPBF
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IRF7809AVPBF详情
International Rectifier IRF7809AVPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
13.3 A
Part Package Code
SOIC
Risk Rank
5.1
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
International Rectifier
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IRF7809AVPBF
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
LEAD FREE, SOP-8
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13.3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
IRF7809AVPBF拓展信息








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