International Rectifier IRF9Z24N
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IRF9Z24N
1240-IRF9Z24N
无类别的
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MOSFET Transistor, P-Channel, TO-220AB
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IRF9Z24N详情
International Rectifier IRF9Z24N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF9Z24N
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
3.69
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
12 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12 A
漏极-源极导通最大电阻
0.175 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
96 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
45 W
环境耗散-最大值
45 W
IRF9Z24N拓展信息







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