International Rectifier IRFBA32N50K

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

n/a

Package

塑料外壳

RoHS

有

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFBA32N50K

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

8.17

Drain Current-Max (ID)

32 A

操作温度

-40...+90°C

系列

SMA

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

输出类型

single

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

0,067 A

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32 A

漏极-源极导通最大电阻

0.14 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

128 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

760 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

360 W

电源

1 W