International Rectifier IRFBL10N60APBF
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IRFBL10N60APBF
1240-IRFBL10N60APBF
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SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
1最小包装量--
IRFBL10N60APBF详情
International Rectifier IRFBL10N60APBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFBL10N60APBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
11 A
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
镍外哑光锡
颜色
White
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大额定电流
1.5 A
操作模式
增强型MOSFET
视角
120 °
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
测试电流
700 mA
正向电压
12 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.61 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
454 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
显色指数(CRI)
90
IRFBL10N60APBF拓展信息







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