International Rectifier IRFH4257DTRPBF
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IRFH4257DTRPBF
1240-IRFH4257DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 111A 8-Pin PQFN T/R, PQFN-8L (4X5), RoHS
1最小包装量--
IRFH4257DTRPBF详情
International Rectifier IRFH4257DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
Dual PQFN (5x4)
包装数量
4000
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
20 ns
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A
厂商
International Rectifier
Product Status
活跃
包装
Tape & Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
28 W
通道数量
2
元素配置
Dual
接通延迟时间
12 ns
功率 - 最大
25W, 28W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1321pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
上升时间
51 ns
漏源电压 (Vdss)
25 V
连续放电电流(ID)
25 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
25 V
输入电容
1.321 nF
最大结点温度(Tj)
150 °C
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
1.8 mΩ
最大rds
3.4 mΩ
通态电阻
1.4 mΩ
高度
1 mm
无铅
无铅
IRFH4257DTRPBF拓展信息
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