IRFH4257DTRPBF
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International Rectifier IRFH4257DTRPBF

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型号

IRFH4257DTRPBF

utmel 编号

1240-IRFH4257DTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 111A 8-Pin PQFN T/R, PQFN-8L (4X5), RoHS

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IRFH4257DTRPBF
IRFH4257DTRPBF International Rectifier Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 111A 8-Pin PQFN T/R, PQFN-8L (4X5), RoHS

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IRFH4257DTRPBF详情

International Rectifier IRFH4257DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    Dual PQFN (5x4)

  • 包装数量

    4000

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    25A

  • 厂商

    International Rectifier

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Tape & Reel

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    HEXFET®

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    28 W

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 功率 - 最大

    25W, 28W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.4mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 35µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1321pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 4.5V

  • 上升时间

    51 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25 V

  • 连续放电电流(ID)

    25 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    25 V

  • 输入电容

    1.321 nF

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    1.8 mΩ

  • 最大rds

    3.4 mΩ

  • 通态电阻

    1.4 mΩ

  • 高度

    1 mm

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

IRFH4257DTRPBF拓展信息

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