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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.780792
10
¥18.661125
100
¥17.604833
500
¥16.608329
1000
¥15.668237
International Rectifier IRFHE4250DTRPBF
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- 对比
IRFHE4250DTRPBF
1240-IRFHE4250DTRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
32-PowerVFQFN
大陆
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HEXFET POWER MOSFET
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¥
总价: ¥
IRFHE4250DTRPBF详情
International Rectifier IRFHE4250DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-PowerVFQFN
供应商器件包装
32-PQFN (6x6)
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
86A (Tc), 303A (Tc)
厂商
International Rectifier
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
功率 - 最大
156W (Tc)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
场效应管特性
Standard
IRFHE4250DTRPBF拓展信息
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