IRFHE4250DTRPBF
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International Rectifier IRFHE4250DTRPBF

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型号

IRFHE4250DTRPBF

utmel 编号

1240-IRFHE4250DTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

32-PowerVFQFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HEXFET POWER MOSFET

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IRFHE4250DTRPBF
IRFHE4250DTRPBF International Rectifier HEXFET POWER MOSFET

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IRFHE4250DTRPBF详情

International Rectifier IRFHE4250DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    32-PowerVFQFN

  • 供应商器件包装

    32-PQFN (6x6)

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    86A (Tc), 303A (Tc)

  • 厂商

    International Rectifier

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    HEXFET®

  • 功率 - 最大

    156W (Tc)

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 场效应管特性

    Standard

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