IRFK3D150
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International Rectifier IRFK3D150

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型号

IRFK3D150

utmel 编号

1240-IRFK3D150

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 125A I(D), 100V, 0.02ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA

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IRFK3D150 International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 125A I(D), 100V, 0.02ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA

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IRFK3D150详情

International Rectifier IRFK3D150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7

  • Drain Current-Max (ID)

    125 A

  • Number of Elements

    6

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-240AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.02 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    435 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    625 W

  • 环境耗散-最大值

    625 W

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技术文档: International Rectifier IRFK3D150.

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