International Rectifier IRFK4H350
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IRFK4H350
1240-IRFK4H350
无类别的
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.075ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor...
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IRFK4H350详情
International Rectifier IRFK4H350重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
终端数量
4
Number of Elements
4
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
500 W
功率耗散
500 W
连续放电电流(ID)
50 A
漏源电阻
75 mΩ
最小击穿电压
400 V
达到SVHC
有
IRFK4H350拓展信息







哦! 它是空的。