International Rectifier IRFSL41N15DPBF
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IRFSL41N15DPBF
1240-IRFSL41N15DPBF
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MOSFET, 150V, 41A, 45 MOHM, 72 NC QG, TO-262
1最小包装量--
IRFSL41N15DPBF详情
International Rectifier IRFSL41N15DPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, TO-262, 3 PIN
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFSL41N15DPBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.26
Part Package Code
TO-262AA
Drain Current-Max (ID)
41 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
41 A
漏极-源极导通最大电阻
0.045 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
164 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
470 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
200 W
IRFSL41N15DPBF拓展信息







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