International Rectifier IRG4RC10SDTR
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IRG4RC10SDTR
1240-IRG4RC10SDTR
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IGBT Transistor, N-CHAN, TO-252AA
1最小包装量--
IRG4RC10SDTR详情
International Rectifier IRG4RC10SDTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
106 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1780 ns
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRG4RC10SDTR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.5
Part Package Code
TO-252AA
JESD-609代码
e0
端子表面处理
锡铅
附加功能
低导通损耗
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大耗散功率(Abs)
38 W
集电极电流-最大值(IC)
14 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
最大下降时间 (tf)
1080 ns
IRG4RC10SDTR拓展信息







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