IRG4RC10UDTR
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International Rectifier IRG4RC10UDTR

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型号

IRG4RC10UDTR

utmel 编号

1240-IRG4RC10UDTR

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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IRG4RC10UDTR International Rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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IRG4RC10UDTR详情

International Rectifier IRG4RC10UDTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    345 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    56 ns

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Part Package Code

    TO-252AA

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 集电极电流-最大值(IC)

    8.5 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: International Rectifier IRG4RC10UDTR.

IRG4RC10UDTR拓展信息

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