International Rectifier IRHNA7360SESCSPBF
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IRHNA7360SESCSPBF
1240-IRHNA7360SESCSPBF
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CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
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IRHNA7360SESCSPBF详情
International Rectifier IRHNA7360SESCSPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
24 A
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Manufacturer
International Rectifier
Manufacturer Part Number
IRHNA7360SESCSPBF
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Description
CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Part Life Cycle Code
Obsolete
Reflow Temperature-Max (s)
40
Risk Rank
5.34
Rohs Code
有
无铅代码
有
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.21 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRHNA7360SESCSPBF拓展信息







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