International Rectifier IRLL014N
- 收藏
- 对比
IRLL014N
1240-IRLL014N
无类别的
--
大陆
立即发货

MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223
1最小包装量--
IRLL014N详情
International Rectifier IRLL014N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRLL014N
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.71
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-261AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
32 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
IRLL014N拓展信息







哦! 它是空的。