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International Rectifier IRLL024NQ

Name: IRLL024NQ
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRLL024NQ
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRLL024NQ

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRLL024NQ

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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IRLL024NQ International Rectifier Description: Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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IRLL024NQ详情

技术参数

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International Rectifier IRLL024NQ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code

SOT-223
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Drain Current-Max (ID)

3.1 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

4
JESD-30代码

R-PDSO-G4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A
DS 击穿电压-最小值

55 V
雪崩能量等级（Eas）

87 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

1.3 W

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IRLL024NQ拓展信息

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