对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | |||||||||||
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![]() | BSC037N03MSCG | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | BSC037N03MSCG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 | 5.83 | 18 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | e3 | EAR99 | 哑光锡 | DUAL | FLAT | unknown | 8 | R-PDSO-F8 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.0048 Ω | 400 A | 30 V | 50 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |



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