International Resistive GS4BLF022672CT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-PowerSMD, 21 Leads

供应商器件包装

24-SMPD

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

102A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

570W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™

包装

Tube

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20 mOhm @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

335nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

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