International Resistive WBC-B0202AA-00-5102-J

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D-Pak

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

厂商

International Rectifier

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Tc)

Package

Bulk

系列

HEXFET®

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

125mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

150 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-