Intersil HGT1S12N60C3S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

14 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

270 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGT1S12N60C3S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

400 ns

Risk Rank

5.01

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低导通损耗

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

104 W

集电极电流-最大值(IC)

24 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

环境耗散-最大值

104 W

最大下降时间 (tf)

275 ns

达到SVHC

unknown