HGTD1N120BNS详情
Intersil HGTD1N120BNS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
24 ns
Operating Temperature-Min
-55 °C
Turn-off Time-Nom (toff)
333 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HGTD1N120BNS
Turn-on Time-Max (ton)
32 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Turn-off Time-Max (toff)
458 ns
Rise Time-Max (tr)
15 ns
Risk Rank
5.63
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大耗散功率(Abs)
60 W
集电极电流-最大值(IC)
5.3 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.9 V
最大下降时间 (tf)
370 ns
达到SVHC
compliant
HGTD1N120BNS拓展信息








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