HGTH20N50C1D详情
Intersil HGTH20N50C1D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HGTH20N50C1D
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Intersil Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Rise Time-Max (tr)
50 ns
Risk Rank
5.19
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-218AC
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
500 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
4.5 V
最大下降时间 (tf)
500 ns
HGTH20N50C1D拓展信息








哦! 它是空的。