HGTP20N60B3详情
Intersil HGTP20N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-off Time-Nom (toff)
220 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HGTP20N60B3
Turn-on Time-Max (ton)
25 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Harris Semiconductor
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Turn-off Time-Max (toff)
275 ns
Rise Time-Max (tr)
20 ns
Risk Rank
8.56
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
165 W
集电极电流-最大值(IC)
40 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
环境耗散-最大值
165 W
最大下降时间 (tf)
200 ns
HGTP20N60B3拓展信息








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