HGTP5N120CND详情
Intersil HGTP5N120CND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Risk Rank
5.6
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
Harris Semiconductor
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
HGTP5N120CND
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
5 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
达到SVHC
unknown
HGTP5N120CND拓展信息








哦! 它是空的。