Intersil HS9-6617RH-Q

表面安装

YES

终端数量

24

RoHS

Non-Compliant

Package Description

DFP, FL24,.4

Package Style

FLATPACK

Number of Words Code

2000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

FL24,.4

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HS9-6617RH-Q

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

8.75

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RADIATION-HARDENED PROM

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

OTP ROM

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDFP-F24

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.1 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000167 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535V;38534K;883S

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM