HUF76139P3详情
Intersil HUF76139P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HUF76139P3
Turn-on Time-Max (ton)
120 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
75 A
Risk Rank
5.7
Turn-off Time-Max (toff)
218 ns
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Part Life Cycle Code
活跃
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
165 W
HUF76139P3拓展信息








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