Intersil JANTX2N6895

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

1.16 A

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Manufacturer

Microsemi Corporation

Manufacturer Part Number

JANTX2N6895

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Part Life Cycle Code

Obsolete

Risk Rank

5.48

Rohs Code

无

ECCN 代码

EAR99

附加功能

辐射硬化

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.5 A

漏极-源极导通最大电阻

3.65 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

8.33 W

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF