JANTX2N6898
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Intersil JANTX2N6898

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型号

JANTX2N6898

品牌

Intersil

utmel 编号

1244-JANTX2N6898

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 3-Pin(2 Tab) TO-3

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1最小包装量--

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JANTX2N6898
JANTX2N6898 Intersil Trans MOSFET P-CH 3-Pin(2 Tab) TO-3

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JANTX2N6898详情

Intersil JANTX2N6898重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SMD, No Lead

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    CTS-Frequency Controls

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    TO-3, 2 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JANTX2N6898

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.79

  • Part Package Code

    BFM

  • Drain Current-Max (ID)

    25 A

  • 操作温度

    -30°C ~ 85°C

  • 系列

    581

  • 尺寸/尺寸

    0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    VCTCXO

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    19.44 MHz

  • 频率稳定性

    ±200ppb

  • 输出量

    HCMOS

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/565C

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 功能

    -

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    9.5mA

  • 资历状况

    Qualified

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 扩频带宽

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-204AE

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    25 A

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    150 W

  • 绝对牵引范围 (APR)

    ±5ppm

  • 座位高度(最大)

    0.079 (2.00mm)

  • 评级结果

    -

0个相似型号

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