MR80C86-2/B详情
Intersil MR80C86-2/B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220AB
Package
Tube
Base Product Number
PHP14
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Product Status
Obsolete
RoHS
Non-Compliant
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
TrenchMOS™
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
技术
MOSFET (Metal Oxide)
数据总线宽度
16 b
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
230mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
200 V
Vgs(最大值)
±20V
最高频率
8 MHz
场效应管特性
-
辐射硬化
无
MR80C86-2/B拓展信息








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