INTERSIL CORP HGTD6N50E1S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大耗散功率(Abs)

60W

集电极电流-最大值(IC)

7.5A

集电极-发射器电压-最大值

500V

栅极-发射极电压-最大值

20V

VCEsat-最大值

2.4 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4.5V

环境耗散-最大值

60W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

达到SVHC

not_compliant