INTERSIL CORP HGTP3N60C3D

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大耗散功率(Abs)

33W

接通时间

15 ns

集电极电流-最大值(IC)

6A

关断时间-标准值（toff)

455 ns

集电极-发射器电压-最大值

600V

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

275ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant