RFG60P06E
RFG60P06E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

INTERSIL CORP RFG60P06E

  • 收藏
  • 对比

型号

RFG60P06E

utmel 编号

1244-RFG60P06E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RFG60P06E datasheet pdf and Unclassified product details from INTERSIL CORP stock available at utmel

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
RFG60P06E
RFG60P06E INTERSIL CORP

请发送询价,我们将立即回复。

库存:25000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

RFG60P06E详情

INTERSIL CORP RFG60P06E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    175°C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-MSFM-P3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    60A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.03Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    150A

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    215W

  • 关断时间-最大值(toff)

    125ns

  • 接通时间-最大值(ton)

    125ns

  • 环境耗散-最大值

    215W

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

RFG60P06E拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS