Intersil Corporation RF1S530SM
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RF1S530SM
1244-RF1S530SM
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
1最小包装量--
RF1S530SM详情
Intersil Corporation RF1S530SM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Drain Current-Max (ID)
14 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
79 W
RF1S530SM拓展信息
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Intersil Corporation
Intersil Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation
Intersil Corporation
Foxconn Interconnect Technology Limited
Intersil Corporation
Nihon Inter Electronics Corporation







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